聚焦“低矮封装、uH 级、饱和电流数十安培”功率电感，下面从可量产的制造路线与研究核心问题两方面讲清楚——不讲选型，只讲怎么做、要攻关什么。

一、三条主流制造路线（适合低高度 + 大电流）

1) 一体成型（模压金属复合）屏蔽电感（Molded/Composite）

• 基本结构：扁平/圆线线圈 + 金属软磁复合材料（Fe 系合金粉 + 绝缘涂层 + 树脂粘结剂）整体模压成型，天然磁屏蔽，软饱和。(industrial.panasonic.cn)

• 关键工艺流：线圈/引线框架制备 → 配置磁粉复合料（颗粒分布、体积分数、涂层）→ 真空脱泡 → 转移/压缩模压成型与固化（热压或冷压+固化）→ 后道研磨/抛光控高度 → 去披锋、电镀、分割、测试。后磨可精确做到超薄封装。(gotrend.com.tw)

• 高度与电流的平衡：复合磁粉的高饱和磁感应（>1 T） + 线圈用扁平铜提高截面积、降低DCR，实现数十安培；但高度降到≈2 mm 级时，磁路径受限、温升控制更难。(industrial.panasonic.cn)

2) 扁平线/平面磁路的“低矮磁芯 + 线圈”方案（Planar/Flat-wire）

• 基本结构：上下磁片（铁氧体/复合磁材/纳晶片材）+ 扁平铜线圈或引线框架/箔带，中间窗口极薄，整体做成 2–5 mm 高度。利于导热和并联分流。(穆升电子)

• 关键工艺流：磁片切割/磨平 → 薄型骨架或金属引线框架成形 → 扁平线绕制/焊接 → 叠片装配（可做分布气隙）→ 胶合/固化 → 局部灌封与屏蔽 → 尺寸研磨、外观处理与量测。

• 难点：高频下邻近效应与趋肤效应致 AC 电阻上升，需要按 Dowell/Ferreira/修正模型优化层数、导体厚度与走线。(MDPI)

3) 内嵌式（PCB/有机封装）电感（Embedded in PCB/Package）

• 基本结构：将螺线管/平面线圈与磁材嵌入 PCB 或有机封装基板（PSiP/SiP），实现极低高度与多相耦合。(psma.com)

• 关键工艺流：PCB 线圈（减铜/半加成）→ 磁性片/磁性预浸料层压 → 激光/光刻微孔与金属化 → 层压固化 → 表征与可靠性验证。

• 难点：磁导率与损耗受限、可承载电流密度较模压方案低；但可借多相耦合与拓扑协同补偿等效电感与纹波。(swh.princeton.edu)

二、制造背后的“研究核心”

这些横跨材料—电磁—热—封测—可靠性，决定你能在“矮+大电流+uH”三难问题里走多远。

1. 软磁复合材料（SMC）配方与微结构

• 目标：在高 Bs、可控 μr、低损耗之间取最优；粉末粒径/分布、表面绝缘涂层（磷化、无机/有机复合）、粘结剂/固化体系决定 AC 损与直流偏磁下的“软饱和”曲线。(SpringerLink)

• 前沿：纳晶/合金粉与多层绝缘涂覆、致密成形工艺，解决“高填充率带来的涂层缺陷与孔隙”引发的 μ 损失与涡流。(科学直达)

2. 导体与绕组的高频损耗控制

• 难点：uH 级 + 数十安培常配合数百 kHz–MHz 开关频率；趋肤/邻近效应主导 AC 电阻。研究聚焦扁平线/多股并绕/层数与间距优化、窗口填充因子与散热路径协同。(MDPI)

3. 非正弦/带偏磁波形下的核心损耗模型

• VRM/多相 Buck 中电感通流呈三角波 + DC 偏磁，经典 Steinmetz 需改进：iGSE / i2GSE / iWcSE 等模型在工程上更贴近真实损耗，用于材料筛选与热设计闭环。(psma.com)

4. 热-机-电多物理协同与封装工艺

• 导热路径设计（线圈→引线框架/底部大焊盘→PCB 热孔/铜皮→散热器）、模压残余应力对磁参量与噪声的影响；后道研磨控高度与裂纹/翘曲控制、AEC-Q200 级可靠性。(ams-publications.ee.ethz.ch)

5. 系统级耦合磁技术

• 通过多相耦合/对称耦合结构，在总高度受限时有效抑制纹波、提升瞬态，降低单相电感所需磁体积，适配超薄 VRM。(swh.princeton.edu)

三、典型工艺要点（以模压一体成型为例，面向“低矮 + 数十安培”）

• 线圈/端子：优先扁平铜（厚度≈1–3×目标频率的有效皮深），控制层数以抑制邻近效应；与引线框架焊接/点焊，兼作散热通道与大底部焊盘。(穆升电子)

• 磁粉复合料：FeSiAl/Fe 系合金粉多级粒径分布提高填充率；表面绝缘涂覆减小涡流；选择高 Tg 低收缩树脂体系；真空脱泡避免孔隙。(SpringerLink)

• 成型与固化：热压/转移模全包裹线圈形成闭合磁路，控制压力—温度—时间曲线；软饱和特性来自分布气隙与颗粒间绝缘。(industrial.panasonic.cn)

• 后道精加工：后模磨削/研磨保证统一高度与共面度，减少贴装空洞与热阻；随后的镍/锡电镀、分割与追溯码激光打标。(Google Patents)

• 量测与可靠性：按目标频率测 L/DCR、脉冲/直流法测 Isat、规定温升下测 Irms；做温循环/湿热/跌落/振动等（车规按 AEC-Q200）。(media.monolithicpower.cn)

四、做“低矮 + 大电流”的几条硬原则

• 材料优先：高 Bs 的金属复合材优于铁氧体以守住直流偏磁；但需用先进绝缘涂层与高致密工艺压低 AC 损。(industrial.panasonic.cn)

• 导体优先：减少层数、用扁平线/并行股，按 Dowell 曲线优化厚度与层间距；布置大底盘散热。(EEPower)

• 模型闭环：用 iGSE/i2GSE 等模型对真实三角波与占空比做核心损预测，同时用修正 Dowell/数值方法评估AC 铜损，热-电耦合校核温升与去耦裕量。(psma.com)

• 系统协同：用耦合电感/多相并联方案在相同高度下“换空间为时间常数”，提升等效性能。(swh.princeton.edu)

五、进一步可读资料（按主题）

• 模压金属复合电感入门与材料要点：Panasonic 金属复合一体成型电感白皮书。(industrial.panasonic.cn)

• SMC 绝缘涂层/损耗综述（新近）：软磁复合绝缘涂层技术综述，及材料—工艺—损耗关联。(科学直达)

• 平面/扁平线电感设计与导体损耗：Bourns 扁平线应用笔记 + Dowell/修正模型文献。(穆升电子)

• 内嵌式/封装级磁性器件制造：PSMA 内嵌磁材工艺总览；有机封装基板内嵌耦合磁芯电感（含制程与表征）。(psma.com)

• 非正弦波/偏磁损耗模型：iGSE 与改进型（i2GSE / iWcSE）方法。(u.dianyuan.com)

如果你正准备自建工艺线或联合代工，我可以直接按这三类路线，给你拆解设备清单（成型/研磨/检测）、材料配方窗口（粒径/涂层/树脂）、工艺参数初设和验证计划（磁/热/可靠性），方便立项推进。