控制电路

整体电路symbol：

主要功能：

该模块提供了TLE7181EM 一个状态引脚，可为 MCU 提供诊断反馈。其内部还包含上电复位及go to sleep功能定时电路，该模块的外部输出是一个推挽输出级，带有一个连接至 GND 的集成下拉电阻如下图

控制电路子模块

ERRbar

控制模块实现的主要逻辑及驱动所处状态为：

ERRbar引脚错误及警告的优先级对应关系为：

ERRbar电路及信号分析

• SCDL_DET0： 短路电平设置检测（前级模块未分析）
• SCDL_DET1： 短路电平设置检测（前级模块未分析）
• SCD：短路电流检测（前级模块未分析）
• VINT_DET1N：内部供电前压检测，默认低电平，欠压高电平
• VREG_DET1：内部LDO提供12.5V电压欠压检测，默认低电平，欠压高电平
• ISO_DET1：过流检测，默认低电平，过流高电平
• ENN0：VS欠压检测，默认低电平，欠压高电平
• VS_VDH_DET1：VS和VDH过压检测，默认低电平，过压高电平
• THER_DET：过温检测，默认低电平，过温高电平
• ENNX/ENNX1：上电复位电路电平，与使能端ENA相关，与上电后的Reset ENA清除ERRbar信号相关
  对THER_DET信号模拟过温，ERR信号的置位过程：
  
  接下来对于此模块分解将从一下几个方面进行：

1. 对短路电平设置模块进行分析，即短路功能中 SCDL_DET0、SCDL_DET1、SCD 默认电平；
2. 对 ERRbar 状态报错功能的优先级分析

上电复位模块

此模块用于对芯片使能后及上电后的复位

• RST：使能 Reset 模块输出信号；
• NIBI：内部低压电源提供的偏置电流，用于给电容充电，控制信号的延迟时间
  对上电复位模块进行仿真，仿真结果如下：
  
  VDD 信号设置为 PWL 源，用于模拟真实上电过程，RST_OUT1N 为 POR 电路的输出，其中延迟时间由 POR 电路中电流对电容的充电过程控制，具体 POR 电路如下：

POR 电路

CLK 电路

CLK 电路对芯片的 sleep 模式进行控制，当 ENA 信号变为 Low 后，经过延迟及状态转换，驱动芯片的外部 MOSFET 全部关断，驱动进入低静态电流的睡眠模式，对应 Datasheet 的 Spec 如下：

• ENP1：使能 Reset 模块输出信号；
• PIBI：内部低压电源提供的偏置电流，用于控制 CLK 电路中的振荡器的振荡频率；
• ENN0：VS欠压保护输出，默认电平为低电平；
• RSTOUTN：上电复位电路输出；
  OSC 输出振荡信号经异步复位 D 触发器 2、4、8、16 分频后再次进入 D 触发器，并将触发器输出信号接回振荡器使能端口 ENP0，16 分频结束后将振荡器关闭，进入低功耗模式。振荡器的频率可由 Go to sleep 时间计算，为(1/415μs)×16，大约为 38kHz。
  CLK 模块仿真结果如下：
  

OSC 电路

• ENP1：使能 Reset 模块输出信号；
  PIBI 偏置电流及电容大小决定电容在 VDD 及 GND 之间充放电时间，经过施密特触发器整形输出时钟信号。